与封装膨胀系数（CTE）匹配的封装基板

普通IC封装及系统级封装都需要套用到多种不同材质的原料。 这给设计者和芯片封装代工厂都造成了很多严峻的挑战，如不同材质造成的内部热应力对生产良率以及产品寿命的影响。

AMP工艺是可以有效的减少封装的这种特殊复杂性，其可以用作基板材料来减缓不同材料-芯片，金属原件等之间的不同热膨胀系数造成的应力。另外AMP是一种中等级别的互联技术， 其可以达到线宽间距（L/S） 都是25微米，TMV 的宽深比达到1：10. 从这个角度来看，AMP 是可以作为FR-4基板的替代方案。作为再布线层（RDL）的制作方式， 用于扇出型晶圆级和扇出型板级封装生产工艺中。（fo-WLP/ fo-PLP)

相对于传统的封装集成天线技术，AMP工艺拥有很多优势：

1. 减少20%的封装引脚，更小的过孔和孔焊盘
2. TMV 宽深比达1:10
3. 更好的CTE 匹配程度：减少芯片和铜层之间的CTE 不匹配
4. 嵌入式的导线，连接点，以及过孔焊点让封装整体外形统一。

活性模塑封装(amp)仅需三步工艺就可在环氧模塑表面形成RF器件

1. 特殊开发的环氧模塑料（EMC）,一般是颗粒料或饼料。
2. 选择性在EMC表面选择性激光激活，挖槽或TMV钻孔
3. 在EMC表面的激光激活部分，化学镀金属化。