封装级电磁屏蔽

因为设备投资，工艺流程，屏蔽可靠性，生产良率，设计自由度，尺寸需求等因素 整个芯片封装的完全电磁屏蔽，SIP 中的一个单独区域或MCM在的一个单独芯片需要屏蔽是非常有挑战性的工作，

相对于PVD溅射，金属盖焊接或铜浆料印刷。AMP 工艺提供的屏蔽解决方案很具备优势。

1. 设备投资低， 成本压力小。
2. 此设备同时兼具多种其他创新封装应用功能，如AIP/AOP
3. 同时在封装表面和侧面形成可靠的屏蔽层，无需担心结合力和剥落等问题。
4. 简化分片过程，早在侧壁活化和金属化制程时，划片沟道中的模塑料已经被去除了。
5. 提供精度极高的局部共形选择性屏蔽图形。

活性封装技术(AMP)使用三步流程形成屏蔽层。

1. 特殊开发的环氧模塑料（EMC）,一般是颗粒料或饼料。
2. 选择性在EMC表面选择性激光激活，挖槽或TMV钻孔
3. 在EMC表面的激光激活部分，化学镀金属化。